韩媒：三星、SK海力士加码HBM研发与投资

韩国三星电子和 SK 海力士正加速布局 HBM 及下一代存储技术，以维持领先优势。三星电子表示，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元（约 116 亿美元），并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。SK 海力士则正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等下一代技术，预计今年资本支出规模达到 40 万亿韩元（约 326 亿美元）。

与此同时，CXMT 正快速推进 HBM 技术发展，目标在今年年底前实现 HBM3 量产。业内认为，虽然 CXMT 当前 HBM3 良率仍较低，短期内难以撼动三星和 SK 海力士的领先地位，但随着 AI 需求推动存储市场扩大，中国厂商追赶速度正在加快。（newsis）